MRAM son las siglas de memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva, una alternativa a los actuales sistemas de RAM no volátiles, en los que el almacenamiento de datos y procesamiento tienen lugar en la misma unidad, es decir, con computación en memoria.

Aunque ya se han probado otros sistemas de este tipo como la memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM) y la memoria de acceso aleatorio de cambio de fase (PRAM), MRAM era una tecnología que hasta ahora no se había probado debido a su baja resistencia, como informó la empresa en un comunicado.

La tecnología desarrollada por Samsung, soluciona el problema de la resistencia mediante el desarrollo de un chip de matriz MRAM que sustituye a la arquitectura estándar computacional, de “suma de corrientes” por una nueva arquitectura de computación en memoria de “suma de resistencias”.

El chip alcanzó una precisión del 98 % en la clasificación de dígitos escritos a mano, y del 93 % en la detección de rostros a partir de escenas

En este sentido, MRAM ya se encuentra en producción a escala comercial en el sistema de fabricación de semiconductores, y Samsung cree que este trabajo «amplía la frontera de las tecnologías de chip de IA de bajo consumo de la próxima generación».

Los investigadores también sugirieron que este nuevo chip no solo puede utilizarse para la computación en memoria, sino que también puede servir como plataforma para descargar redes neuronales biológicas.

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Gabriela Morales

Con información de dpa